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时间:2025-11-14 11:43:08 来源:网络整理编辑:蓉儿
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韓國記憶體大廠SK海力士宣佈,已開發出321層2Tb的QLC NAND Flash產品,並開始量產。
SK海力士表示、NAND Flash晶片根據每個單元(Cell)可以存儲的資訊量,分為SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同規格。單元的資訊存儲容量越大,意味著單位面積內可儲存的數據越多。
SK海力士指出,公司全球率先完成300層以上的QLC NAND Flash開發,再次突破了技術極限。該產品在現有的NAND Flash產品中擁有最高的整合度,經過全球客戶公司的驗證後,計畫於2026年上半年正式進入AI數據中心市場。
SK海力士強調,公司為了最大極限的提高此次產品的成本競爭力,將其開發為與現有產品相比容量翻倍的2Tb產品。一般來說,NAND Flash容量越大,單元中儲存的資訊越多,並且記憶體管理越複雜,導致數據處理速度就越慢。為此,公司通過將NAND Flash內部可獨立運行的平面(Plane)架構從四平面擴展為六平面,從而提升了並行處理能力,緩解了因大容量導致的性能下降問題。
事實上,平面(Plane)是指可以在單一晶片內能夠獨立運行的單元和週邊電路。將其從4個增加至6個,改善了數據處理性能(Data Bandwidth)之一的同時讀取性能。因此,該產品不僅達成高容量,而且性能也較以往的QLC產品大幅提升。數據傳輸速度提高了一倍,寫入性能最多提升了56%,讀取性能也提升了18%。同時,數據寫入能效也提高了23%以上,在需要低功耗的AI數據中心等領域也具備了更強的競爭力。
公司計畫首先在電腦端固態硬碟(PC SSD)上應用321層NAND Flash,隨後逐步擴展到面向數據中心的企業級固態硬碟(eSSD)和針對智慧型手機的嵌入式存儲(UFS)產品。此外,公司也將基於堆疊32個NAND Flash的獨有封裝技術,達到比現有高出一倍的集成度,正式進入面向AI伺服器的超高容量eSSD市場。
SK海力士NAND Flash擔當副社長鄭羽杓表示,此次產品開始量產,大幅強化了高容量存儲產品組合,同時確保了成本競爭力。為了應對迅速增長的AI需求和數據中心市場的高性能要求,我們將作為全方位針對AI的記憶體供應商(Full Stack AI Memory Provider),實現更大的飛躍。
(首圖來源:SK 海力士提供)
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