韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics）的第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達（Nvidia Corp.）驗證通過，預計 8 月底便可進入最終的預生產（pre-production，PP）階段，若測試順利，則最快今年底便能開始量產。

BusinessKorea、Wccftech 21日引述首爾經濟日報報導，一名業界人士透露，據了解三星HBM4的各種品質項目（包括良率等）皆獲得正面評價，目前已進入預生產階段。「若預生產測試也通過，估計11月或12月就可量產」。

預生產是半導體量產前的最後驗證程序。三星7月提供的HBM4原型是一款「工程樣本」，而預生產程序會測試樣本跟客戶繪圖處理器（GPU）的相容性，看看在特定溫度環境下，品質能否達到高標。一旦通過這個階段，便可轉入量產期。

HBM4將應用於輝達次世代AI加速器「Rubin」。目前是輝達獨家HBM供應商的SK海力士（SK hynix）早在3月就將HBM4樣本送交輝達、並於6月初初步生產，預定10月開始量產。若三星通過預生產階段，則11月便能量產、迅速拉近與SK海力士的距離。

市場也有消息傳出，三星的12層堆疊HBM3E將在8月底前通過輝達品質測試並開始交貨。業界認為，輝達、SK海力士近來談判HBM產量與報價時陷入拉鋸，暗示三星可能即將交貨。

若三星成功打入輝達的HBM3E及HBM4供應鏈，明（2026）年的AI記憶體版圖勢必會出現重大變化。今年上半，三星的HBM市占率從去年同期的41%驟減至17%，而SK海力士卻從55%增至62%，美光（Micron）也從4%拉升至21%。金融業界相信，三星明年的HBM銷售成長率有望拉升一倍以上。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）

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