Tom′s Hardware 報導，中國記憶體廠商長鑫存儲（CXMT）為了提高品質，不得不將其 DDR5 記憶體的量產延後至 2025 年末。不過，有消息指出，該公司 DDR5 晶片的品質目前似乎已與台廠南亞科相當，在良率與品質的提升，加上長鑫存儲不斷擴大的產能的情況下，不僅讓規模較小的台系廠商，甚至全球廠商都受到威脅。

報導指出，長鑫儲存於 2024 年年底就開始生產其 DDR5 記憶體，情況也引發了業界的擔憂，擔心這家中國 DRAM 製造商計劃用廉價的 DDR5 記憶體傾銷市場。後來，有消息指出，長鑫儲存使用過時的製程技術來製造其 16 GB DDR5 設備。因此，其晶片尺寸比三星生產的 16 GB DDR5 晶片大 40%。這也代表著與三星的 DDR5 記憶體相較，長鑫存儲的 DDR5 記憶體製造成本要高得多，這使得向市場大量傾銷此類產品變得困難，且無利可圖。

另外，成本並非長鑫儲存 DDR5 記憶體唯一被挖掘出來的問題。事實上，在 2025 年初對長鑫存儲的 DDR5 記憶體樣品的早期測試中，就已經發現其在 60°C 左右的常見封裝溫度下就存在穩定性問題，並且在零度以下溫度也存在相同的問題。這些問題導致採用長鑫存儲 DDR5 記憶體的模組無法滿足可靠性標準。因此，長鑫存儲不得不對其 DDR5 記憶體設計進行修改，甚至藉由花費不貲的新光罩來進一步解決問題。

因此，長鑫存儲這次延遲了 DDR5 記憶體的量產時間。市場先前預計，最初量產時間將在 2025 年 5 月或 6 月左右開始。但到 7 月仍未看到量產情況下，事後證明儘管散熱技術有所進步，但長鑫存儲的生產線良率仍然相對較低，徘徊在 50% 左右，這對於商品 DRAM 來說是不可接受的。所以，長鑫儲存需要進一步改進並累積營運經驗，才能達到與產業平均競爭的良率，這使得量產時間進一步延遲。

此外，近期市場對對長鑫存儲的 DDR5 模組的測試顯示，其品質和性能顯著提升，目前已接近台系廠商南亞科技的水平。如果這些產品得到領先 PC 製造商或模組產品的驗證，則表明長鑫存儲正在縮小與老牌 DRAM 供應商的差距。不過，由於良率問題，這些產品尚未能達成輛廠的目標，這使得長鑫存儲很難在 DDR5 市場上被視為重要的參與者。

而儘管長鑫存儲已提高其 DDR5 記憶體的品質，並有望提高生產良率，但該公司仍面臨重大挑戰。因為根據 TechInsights 的的資料顯示，長鑫存儲的 G4 製造技術的特徵尺寸約為 16 奈米，與三星在 2021 年初推出的第三代 10 奈米等級節點相對應。在此情況下，長鑫存儲的 16 GB DDR5 製造成本高於其他公司的同類晶片，在市場上競爭的難度頗高。

• China’s CXMT reportedly delays mass production of DDR5 chips to late 2025 — state-backed manufacturer could still be disruptive market force
• （獨家）長鑫存儲DDR5/LPDDR5升級緊逼國際原廠　南亞科冷汗直流

(首圖來源：合肥長鑫)

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